Fan Fengjia professzor, a Kínai Tudományos és Technológiai Egyetem Fizikai Karáról, valamint Shen Huaibin professzor, a Henan Egyetemről, együttműködve az EETA technológia segítségével mélyrehatóan tanulmányozták a zöld indium-foszfid alapú kvantumpöttyök fénykibocsátó diódákkal kapcsolatos kulcsfontosságú tudományos kérdéseket.
Sikeresen elérték a zöld indium-foszfid alapú kvantumpötty LED-ek 26,68%-os külső kvantumhatásfokát (EQE), a több mint 270 000 cd/m2 fényerőt és az 1241 órás T95 (a fényerő a kezdeti érték 95%-ára csökken) élettartamot 1000 cd/m2 kezdeti fényerő mellett, amivel új világrekordot állítottak fel.
Az elektromosan gerjesztett tranziens abszorpció elve és az indium-foszfid alapú kvantumpötty LED-ek főbb tudományos kérdései
Fan Fengjia professzor és kutatócsoportja legújabb kutatása azt mutatja, hogy a jelenlegi zöld indium-foszfid alapú kvantumpötty LED-ek alacsony teljesítményének fő oka az elégtelen elektronbefecskendezés és a súlyos elektronszivárgás.
Ennek érdekében a kutatócsoport egy „"low” és „wide barrier"” kialakítást javasolt, amely nemcsak az elektronbefecskendezés hatékonyságát javította, hanem hatékonyan elnyomta a szivárgás jelenségét is. Ezzel az optimalizálással a kutatócsoport sikeresen új világrekordot állított fel.
A vonatkozó kutatási eredményeket a Nature folyóiratban tették közzé "Hatékony zöld InP-alapú QD-LED az elektronbefecskendezés és -szivárgás szabályozásával" címmel, ami fontos előrelépést jelent a nem mérgező kvantumpöttyös LED-technológia terén.
